适应标准 6 吋/8 吋晶圆； 晶片类型:Si、SiC。

晶圆片传输方式：人工手动上下料盒、机械手自动传片，干进干出。

基片定位方式：主轴系统卡盘定位。

剥离金属膜厚度：≤0.8μm，光刻胶去除效率：100%，清洗后效果：无水渍，水斑， 光刻胶残留，划伤，金属残留。

机台运行流程：上料盒→机械手自动扫描→机械手取片→机械手取片放入 1#腔体浸泡 →机械手传输至腔体剥离→机械手传输至清洗腔体 DIW 冲洗干燥→工艺结束后，机械 手取片放入下料片盒→下料盒。

剥离清洗工艺流程：1#腔体 NMP 溶液浸泡→2#腔体 NMP 溶液高压剥离→3#腔体 DIW 冲洗（含兆声功能）、干燥（甩干+热氮气干燥）。

化学液：1#腔体：浸泡药液为 NMP，温度为 RT-80℃，温度精度±2℃，温度可以设 定，贴膜加热。

2#腔体：1#摆臂剥离药液为循环再利用 NMP，温度为 RT-50℃，温度精度±2℃，温 度可以设定，在线加热。

2#摆臂用新鲜 NMP 溶液，常温。

3#腔体：清洗药液为常温 IPA，冲洗采用兆声 DIW，干燥采用甩干+热氮气干燥的方 式。

设备采用电脑程序控制，能设置并存储大于 100 个不同的工艺程序；工艺时间设定： 1～9999 秒，增量 1 秒。